還原氧化石墨烯 (rGO) 薄膜在機(jī)械上很脆弱； 因此，將它們無損地轉(zhuǎn)移到另一個(gè)基材上至關(guān)重要。 為此，需要一種有助于生成仍粘附在基板上的集成 rGO 薄膜的技術(shù)。 據(jù)悉，金屬上的rGO薄膜有望用作儲(chǔ)能元件的電極。 這項(xiàng)工作描述了使用電泳沉積 (EPD) 和閃光點(diǎn)火在銅上生成 rGO 薄膜。 簡而言之，使用穩(wěn)定的氧化石墨烯 (GO) 層水性分散體以固定的沉積電流和持續(xù)時(shí)間在銅上生成均勻的 GO 薄膜。 為了減少 GO 薄膜而不使其與銅分離，脈沖能量 (1–10 Jcm?2) 在固定曝光時(shí)間 (10 ms) 和單個(gè)微脈沖下變化。 在 6 Jcm?2 的脈沖能量下，結(jié)構(gòu)研究顯示亂層堆積（層寬減?。┖徒Y(jié)晶度恢復(fù)（D 和 G 帶中峰值硬度的比率增加）。 形態(tài)顯示了堆疊的 rGO 層之間的間隙和薄膜中的高粗糙度。 還原形成了具有雜化和高表面積 (373 m2g?1) 的多層 rGO 膜。 由于導(dǎo)電率恢復(fù)，rGO 薄膜在 2 mVs-1 的掃描速率下表現(xiàn)出 475.8 Fg-1 的比電容。 接觸角從 ~66° 增加到 ~81° 也否認(rèn)減少。 EPD 和閃燒相結(jié)合，可以在銅上快速、環(huán)保地生產(chǎn)無粘合劑的 rGO 薄膜，這是很有前途的超級(jí)電容器電極。

資料來源：,,, of, and, 202 (2023) 186–195,